| TIP41C транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги | 您所在的位置：网站首页 › tip41c tip42c 供电多少v发热低 › TIP41C транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги |
TIP41C транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги
|
Структура N-P-N; Выпускается по эпитаксиальной технологии; Силовой транзистор средней мощности общего применения; Используется в усилительных и переключающих устройствах; Корпус ТО-220. Содержание ЦоколевкаТаблица предельных значенийМаксимальные тепловые характеристикиЭлектрические характеристикиКомплементарная параАналогиТиповые эксплуатационные данныеЦоколевка
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем. Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C. Обозна чениеПараметрМодификацияВеличинаЕд. изм. VCBOНапряжение коллектор-базаTIP41A60В TIP41B80 TIP41C100 VCEOНапряжение коллектор-эмиттерTIP41A60В TIP41B80 TIP41C100 VEBOНапряжение эмиттер-база5В ICТок коллектора (пост.)6A ICPТок коллектора (имп.)10A IBТок базы2A TJТемпература кристалла150°C TSTGБезопасный температурный диапазон от-65 до 150°C Максимальные тепловые характеристики Обозна чниеПараметрВеличинаЕд. изм. PCМощность рассеяния (ТК = 25°C)65Вт Мощность рассеяния (TА = 25°C)2 Электрические характеристикиЗначения в таблице для температуры 25°C. Обозна чениеПараметрУсловияМинМаксЕд. изм. VCEO (sus)Рабочее напряжение коллектор-эмиттер (1)TIP41AIC = 30 мА, IB = 060В TIP41B80 TIP41C100 ICEOТок отсечки коллектораTIP41AVCE = 30 В, IB = 00.7мA TIP41B /TIP41CVCE = 60 В, IB = 00.7 ICESТок отсечки коллектораTIP41AVCE = 60 В, VEB = 0400мкA TIP41BVCE = 80 В, VEB = 0400 TIP41CVCE = 100 В, VEB = 0400 IEBOТок отсечки эмиттераVEB = 5 В, IC = 01мA hFEКоэффициент усиления по постоянному току (1)VCE = 4 В, IC = 0.3 A30 VCE = 4 В, IC = 3 A1575 VCE(нас)Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (1)IC = 6 A, IB = 600 мA1.5В VBE(on)Напряжение база-эмиттер (1)VCE = 4 В, IC = 6 A2В fTГраничная частота единичного усиленияVCE = 10 В, IC = 500 мA, f = 1 МГц3МГцПримечание: Параметры импульса: pw ≤ 300 μs, скважность ≤ 2%. Комплементарная параTIP41C с транзистором TIP42 образуют комплементарную пару. АналогиПервая позиция в таблице – транзистор TIP41C, для которого предлагаются аналоги. АналогVCEOICPChFEfT TIP41C10066515 Отечественное производство КТ819Г1001060123 Импорт КТ8212А100665153 2SC23341007404020 2SD5251005404012 2SD1059856406015 BD7111001275153 BD9111001590153 BDT41C140665153 MJE5180120665151 Типовые эксплуатационные данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (мВ) и напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
Рис.3 Области безопасной работы в статическом и динамическом режимах с изменяющейся длительностью импульса тока коллектора.
Рис.4 Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса.
Примечание: по технической документации ON Semiconductor, 2017. 0Автор публикации не в сети 2 месяца Антон ИТ 0 Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
|
【本文地址】
| 今日新闻 |
| 推荐新闻 |
| 专题文章 |